| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | RQ3E100MNTB1n: |
| 说明 | 功率MOSFET HSMT-8 |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 394 [库存更新时间：2024-05-31] |
| 连续漏极电流Id | 10A |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W |
| Qg-栅极电荷 | 9.9nC |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.8mΩ |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 栅极电压Vgs | 2.5V |
| 上升时间 | 17ns |
| 下降时间 | 6ns |
| 典型关闭延迟时间 | 31ns |
| 典型接通延迟时间 | 7ns |
| 封装/外壳 | HSMT-8 |
| FET类型 | N-Channel |
| 通道数量 | 1Channel |
| 配置 | Single |
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